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高强高导热氮化硅基板制备技术

分类:技术

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日期:2019-12-05

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1. 氮化硅流延厚膜的先进制备技术。氮化硅基片的厚度在0.25-0.32 mm左右,表面粗糙度Ra?0.3 mm,翘曲度?1‰。尺寸精度和平整度要求很高,制备难度较大。流延成型是制备陶瓷厚膜的关键技术,可以制备厚度0.005-1 mm的流延膜带,尺寸精度高,是控制氮化硅基片尺寸精度的关键技术。但是流延成型添加剂种类多,工艺过程复杂,难度很大。因此,具体技术需求包括: (1)浆料的协同分散制备技术,流延成型粘结剂、塑性剂的组成优化方案,浆料的流变性能满足流延成型的技术要求; (2)浆料的整体分散和优化,解决干燥、表面粗糙度、排胶和不残碳等问题,制备结构均匀、高密度的流延素坯,为后续烧结创造条件。 2. 大尺寸制品的工艺优化和尺寸精度调控技术。提高大尺寸制品成品率,降低制品表面粗糙度和翘曲度,突破流延成型、粉体氮化、低温快速烧结等批量化制备关键技术,获得产品工业化生产集成技术,实现稳定化生产。 3. 快速烧结制备技术。目前国内外常用的高导热氮化硅陶瓷的制备是在高温、高压结合长时间保温的条件下完成的。这种方法不仅制备成本高,而且氮化硅晶粒长大也比较严重,最终制备的氮化硅陶瓷力学性能难以控制。材料快速烧结技术,可以在较短时间实现致密化,避免晶粒长大,保证材料性能,而且可以大幅度降低制备成本,易于实现规模化生产。

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